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RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Référence RN2969FE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 8404 pcs
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Référence RN2969FE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 8404 pcs
Fiche technique RN2967FE-69FE
Photo du produit RN2969FE(TE85L,F).jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur ES6
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms
Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Puissance - Max 100mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms RN2969FE(TE85LF)TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
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