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RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • NZQA5V6XV5T1.jpg
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Référence RN2705JE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 205933 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$0.209$0.15$0.117$0.088
250 pcs500 pcs1000 pcs 
$0.063$0.05$0.038 
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Référence RN2705JE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 205933 pcs
Fiche technique RN2701JE-06JE
Photo du produit RN2705JE(TE85L,F).jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur ESV
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 100mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SOT-553
Autres noms RN2705JE(TE85LF)CT
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
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