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RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • DF3A5.6LFU,LF.jpg
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Référence RN1309(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 309891 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs
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100 pcs250 pcs500 pcs
$0.055$0.034$0.029
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Product parameter

Référence RN1309(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 309891 pcs
Fiche technique RN1307-09
Photo du produit RN1309(TE85L,F).jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur USM
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms
Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Puissance - Max 100mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms RN1309(TE85LF)CT
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
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  • Fabricants:Panasonic
  • La description:TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
  • En stock:1488132
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  • Partie#:DRA3152Z0L
  • Fabricants:Panasonic
  • La description:TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
  • En stock:238309
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  • Partie#:UNR521V00L
  • Fabricants:Panasonic
  • La description:TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
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  • Partie#:UNR521100L
  • Fabricants:Panasonic
  • La description:TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
  • En stock:6012
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  • Partie#:DRC2114W0L
  • Fabricants:Panasonic
  • La description:TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
  • En stock:242924
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