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Accueil > Des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DDTA114GCA-7

DDTA114GCA-7

Diodes Incorporated

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Référence DDTA114GCA-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 8893 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
30000 pcs
$0.03
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Product parameter

Référence DDTA114GCA-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 8893 pcs
Fiche technique DDTA1xxGCA
Photo du produit DDTA114GCA-7-001.jpg , DDTA114GCA-7-002.jpg , DDTA114GCA-7-003.jpg , DDTA114GCA-7-004.jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DDTA114GCADITR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base DDTA114
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